سلام! بهعنوان تامینکننده ماژولهای IGBT، اغلب در مورد نیاز ولتاژ درایو گیت برای این اجزای عالی سؤال میشود. بنابراین، فکر کردم که بنشینم و یک پست وبلاگ بنویسم تا برخی از سردرگمی ها را برطرف کنم.
ابتدا اجازه دهید کمی در مورد اینکه ماژول های IGBT چیست صحبت کنیم. IGBT مخفف Insulated Gate Bipolar Transistor می باشد. این ماژولها بخش کلیدی الکترونیک قدرت هستند که در طیف گستردهای از کاربردها مانند درایوهای موتور، سیستمهای انرژی تجدیدپذیر و حتی در برخی لوازم الکترونیکی مصرفی استفاده میشوند. آنها عالی هستند زیرا امپدانس ورودی بالای ماسفت ها را با افت ولتاژ کم - روشن - ترانزیستورهای دوقطبی ترکیب می کنند، که آنها را برای کاربردهای با توان بالا بسیار کارآمد می کند.
در حال حاضر، ولتاژ درایو گیت عامل مهمی در هنگام کارکرد صحیح ماژولهای IGBT است. ببینید، دروازه یک IGBT مانند یک سوئیچ است. هنگامی که ولتاژ مناسب را به گیت اعمال می کنید، به جریان بین کلکتور و امیتر اجازه می دهد و IGBT را روشن می کند. و وقتی آن ولتاژ را حذف می کنید، IGBT خاموش می شود.
ولتاژ مورد نیاز درایو گیت معمولی برای اکثر ماژول های IGBT از حدود 15+ تا 20+ ولت برای روشن کردن IGBT متغیر است. این محدوده +15 تا + 20 ولت مهم است زیرا تضمین می کند که IGBT به طور کامل روشن است، به این معنی که مقاومت آن در حالت روشن است. هنگامی که IGBT به طور کامل روشن است، تلفات برق کمتری به صورت گرما وجود دارد و بازده کلی سیستم بالا می رود.
از طرف دیگر، زمانی که می خواهید IGBT را خاموش کنید، معمولاً باید یک ولتاژ گیت منفی به امیتر اعمال کنید. یک مقدار رایج برای این ولتاژ منفی حدود 5- تا 10 ولت است. ولتاژ منفی به حذف سریع شارژ از گیت کمک می کند و تضمین می کند که IGBT به سرعت و به طور کامل خاموش می شود. این برای جلوگیری از هرگونه جریان ناخواسته و جلوگیری از مسائلی مانند رسانش متقاطع در مدارهای پل بسیار مهم است.
اما چرا این مقادیر ولتاژ خاص؟ خوب، همه چیز به ساختار داخلی IGBT خلاصه می شود. لایه اکسید گیت در یک IGBT دارای ولتاژ آستانه مشخصی است. این حداقل ولتاژی است که برای شروع فرآیند هدایت باید به گیت اعمال کنید. اگر ولتاژ درایو گیت خیلی کم باشد، IGBT به طور کامل روشن نمیشود و در حالت مقاومت بالا کار میکند که منجر به اتلاف انرژی و تولید گرما میشود.
برعکس، اگر ولتاژ درایو گیت خیلی زیاد باشد، می تواند به لایه اکسید گیت آسیب برساند. اکسید گیت یک لایه نازک از مواد عایق است و اعمال ولتاژ بیش از حد می تواند باعث خرابی آن شود که یک مشکل جدی است زیرا می تواند به طور دائم به ماژول IGBT آسیب برساند.
هنگام انتخاب درایور گیت برای ماژول IGBT، باید فاکتورهای دیگری را نیز به غیر از سطوح ولتاژ در نظر بگیرید. برای مثال، درایور گیت باید بتواند جریان کافی برای شارژ و تخلیه سریع ظرفیت گیت IGBT را تامین کند. شارژ یا دشارژ آهسته گیت می تواند منجر به زمان تعویض طولانی تر شود که دوباره تلفات برق را افزایش می دهد.
علاوه بر الزامات استاندارد ولتاژ درایو گیت، برخی از ماژول های پیشرفته IGBT ممکن است مشخصات متفاوتی داشته باشند. به عنوان مثال، IGBT های ولتاژ بالا وجود دارند که در برنامه های کاربردی با قدرت فوق العاده بالا استفاده می شوند. اینها ممکن است به ولتاژهای درایو گیت کمی متفاوت برای اطمینان از عملکرد مطلوب نیاز داشته باشند.
ما به عنوان تامین کننده ماژول های IGBT، طیف وسیعی از محصولات را متناسب با کاربردهای مختلف ارائه می دهیم. و اگر در بازار لوازم جانبی منبع تغذیه القایی خود هستید، ما شما را تحت پوشش قرار داده ایم. شما می توانید ما را بررسی کنیدتوزیع کننده آب استنلس استیل، که یک افزودنی عالی به سیستم شما برای توزیع کارآمد آب است. همچنین، نگاهی به ما بیندازیدمدارشکن جهانی هوشمندبرای حفاظت مدار قابل اعتماد و برای کسانی که به دنبال قطعات برای سیستم های کوره خود هستند، ماتخته ترانسفورماتور پالس کورهیک انتخاب درجه یک است.
اگر علاقه مند به کسب اطلاعات بیشتر در مورد ماژول های IGBT ما هستید یا در مورد الزامات ولتاژ درایو گیت سؤالی دارید، در تماس با ما دریغ نکنید. چه یک سرگرمی در مقیاس کوچک یا یک کاربر صنعتی در مقیاس بزرگ باشید، ما اینجا هستیم تا به شما کمک کنیم تا راه حل های مناسب برای نیازهای الکترونیک قدرت خود را پیدا کنید. برای گفتگوی دقیق در مورد نیازهای خود با ما تماس بگیرید و بیایید یک همکاری عالی را شروع کنیم.
مراجع
- Mohan، N.، Undeland، TM، و رابینز، WP (2012). الکترونیک قدرت: مبدل ها، برنامه ها و طراحی. وایلی.
- Nasar, SA, & Boldea, I. (1996). ماشینهای الکتریکی و درایوها: دوره اول. سالن پرنتیس